Введение
Вопреки заголовку, это не транзисторы вышедшие в 2025 году. А обзор имеющихся на рынке транзисторов, которые всё ещё актуальны, и активно используются.
Обзор получился немного однобоким - в осноном тут только N-mosfet.
Универсальных MOSFET нет, всё зависит от вашей конкретной задачи. Удобнее всего разделять транзисторы по напряжению: при низком напряжении нужны очень низкое сопротивление открытого DS перехода и большие токи, а при большом напряжении токи уже поменьше, и низкое сопротивление уже не так важно.
Отдельной группой можно выделить Mosfet полевые транзисторы с низким напряжением открытия.
Mosfet до 100V
| Транзистор | Макс. Напряжение, V | Максимальный ток, A |
Сопротивление в откр. сост., mOhm |
Напряжение открытия, V |
примерная цена, usd | Время нарастания/спадания (максимальное значение), nS |
Время восстан. внутр. диода, nS |
Заряд затвора Qgs, nC |
| STL120N10F8 | 100 | 125 | 4.6 | 4 | 2.60 | 17 | 67 | 17 |
| IRF3205 | 55 | 75 | 8 | 4 | 1.5 | 101 | 104 | 35 |
| IRF1405 | 55 | 118 | 5.3 | 4 | 2.5 | 190 | 130 | 66 |
| NCE0110K | 100 | 9.6 | 140 | 2.5 | 1 | 11 | 21 | 3.2 |
| IPP034N03 | 30 | 80 | 3.4 | 2.2 | 1.8 | 6.4 | ? | 12 |
| IPP034N08 | 80 | 120 | 3.4 | 3.8 | 3 | 12 | 146 | 24 |
| IPT004N03 | 30 | 300 | 0.4 | 2.2 | 4.3 | 37 | 100 | 53 |
| IPB09N03 | 25 | 46 | 9.2 | 2 | ? | 88 | ? | 4.4 |
| PSMN2R7-30BL | 30 | 100 | 4.2 | 2.15 | 1 | 82 | 40 | 12 |
| PSMN2R0-30PL | 30 | 100 | 3 | 2.15 | 3 | 125 | 49 | 17 |
| GAN3R2-100 | 100 | 60 | 3.2 | 2.5 | 3.6 | ? | ? | ? |
Обратите внимание ,что время нарастания и спадания обычно указывают при очень маленьких Rg (сопротивлении резистора идущего на Gate). Напиример, в даташите очень популярного IRF3205 указано время нарастания/спадания при Rg=4.5 Ом. При этом в схемах я ни разу не видел значения меньше 10 Ом, а при 10 Ом значения будут уже выше!
Mosfet 100-400V
| Транзистор | Макс. Напряжение, V | Максимальный ток, A |
Сопротивление в откр. сост., mOhm |
Напряжение открытия, V |
примерная цена, usd | Время нарастания/спадания (максимальное значение), nS |
Время восстан. внутр. диода, nS |
| IRF740 | 400 | 10 | 550 | 4.0 | 3 | 50 | 790 |
| IPT111N20 | 200 | 96 | 12 | 4.0 | 8.8 | 13 | 250 |
| IRL540 | 100 | 20 | 110 | 2.0 | 3.4 | 170 | 260 |
| GANE3R9 | 150 | 100 | 7 | 2.1 | 9.6 | ? | ? |
| GAN7R0 | 150 | 28 | 7 | 2.1 | 2.2 | ? | ? |
Mosfet более 400V
| Транзистор | Макс. Напряжение, V | Максимальный ток, A |
Сопротивление в откр. сост., mOhm |
Напряжение открытия, V |
примерная цена, usd | Время нарастания/спадания (максимальное значение), nS |
Время восстан. внутр. диода, nS |
| SGT120R65AL | 650 | 15 | 120 | 2.6 | 5 | 9.7 | (диод отсутствует) |
| SH63N65DM6AG (2 в одном корпусе) | 650 | 53 | 64 | 4.75 | 26 | 8 | 162 |
| STP80N450K6 / STD80N450K6 | 800 | 10 | 450 | 4 | 3.5 | 12.7 | 405 |
| C2M1000170D | 1700 | 5 | 1400 | 4 | 11.5 | 63 | 30 |
| GAN039 | 650 | 58 | 86 | 5.2 | 12.1 | 10 | 25 |